Внутренний SSD накопитель Samsung 860QVO 2TB (MZ-76Q2T0BW) в режиме максимальной производительности потребляет до 4,2 Вт. Ячейки памяти относятся к типу 3D NAND (QLC). Имеется запас времени наработки на отказ до 1,5 миллиона часов. Устойчивость к ударным нагрузкам достигает 1500 G в течении 0,5 мс. При подключении используется интерфейс SATA III. Твердотельный накопитель с оптимизированным потреблением Модель качественно отличается от своих предшественников и аналогов за счет таких опций: актуальной технологии флэш-памяти от Samsung типа 4-bit MLC NAND; функции Intelligent TurboWrite, которая увеличивает скорость чтения и записи, тем самым обеспечивая высокую производительность длительное время; контроллера MJX, который автоматически распределяет нагрузки для улучшения работы и продления срока службы. Универсальный форм-фактор 2,5" в сочетании с queued trim обеспечивают совместимость с компьютерами и ноутбуками, в том числе и на Linux.